- Большую ширину запрещённой зоны (промежуток между зоной валентности и зоной проводимости) — около 3,5 эВ;
- Большие коэффициенты проводимости тепла (свыше 1,5 Вт/м*К);
- Высокие значения подвижности электронов и скорости их насыщения (порядка 2000 см2/В*с и 2,7*107 см/с).
Если сравнивать с полупроводниками на арсениде галлия и кремнии, то GaN приборы демонстрируют лучшие показатели. Например, ширина запрещённой зоны в три раза больше, чем у оборудования на кремнии. Это улучшает показатели работы приборов в условиях повышенного радиоизлучения и критических температур. Так, если кремниевые приборы выдерживают температуры до +200 градусов, то GaN оборудование функционирует при +500 градусов.
Созданные на основе кристаллов нитрида галлия радиоэлектронные компоненты имеют существенно большую теплопроводность, если сравнивать технологические показатели с характеристиками приборов, построенных по другим технологиям. Это делает ненужной систему охлаждения, позволяя уменьшить габариты и массу оборудования.
Указанные и другие технологические достижения позволяют GaN приборам заменить в силовых системах транзисторы, построенные по технологиям Si и SiC. Это гарантия защиты электрических сетей от перегрузок и авральных отключений, а также от снижения потребления энергии в системах запуска электрических двигателей.
О недостатках: если сравнивать с приборами на основе карбида кремния, то GaN технология имеет серьёзный минус. Это достаточно высокий положительный температурный коэффициент сопротивления, который приводит к худшему распределению тока между параллельно включёнными транзисторами. Также у GaN приборов более низкий порог сопротивляемости перегрузкам, чем у кремниевых.